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2022年09月23日，中国科学院上海光机所夏长泰研究员应邀来学院访问讲学、指导工作。夏长泰研究员在学校会议中心思诚厅为材料学院师生作了主题为“极宽禁带半导体—β-Ga₂O₃晶体高效掺质探索及应用”的学术报告。报告会由何云斌教授主持，学院相关专业教师及研究生参会。

夏长泰研究员首先概述了氧化镓作为新兴的下一代半导体材料，具有禁带宽度特大、耐击穿场强高、单晶生长成本低等优点，在电力电子器件、日盲紫外探测等领域具有十分诱人的应用前景，已成为国际先进半导体材料与器件技术领域前沿热点和竞争焦点。氧化镓（β-Ga₂O₃）半导体的双极性掺杂导电是实现其器件应用的一个关键问题。夏长泰研究员在报告中分享了其课题组有关n型氧化镓的新掺质方案及其结果，重点阐述了掺质氧化镓的基本物理特性及其在氧化镓半导体材料与器件应用方面的意义。夏长泰研究员最后指出，氧化镓有效p型掺质方案的缺失是目前阻碍其器件应用的主要技术瓶颈，最近美国政府颁布科技与芯片法案，又明确要求其国内相关单位在氧化镓技术方面对我国实行严格禁运，他呼吁我院更多师生积极投身氧化镓材料、掺杂技术及器件开发的相关研究，打破国外技术垄断。夏老师的报告激起了学院师生广泛兴趣和热烈讨论，大家踊跃提问，夏老师耐心细致解答，现场学术氛围浓郁。最后，报告会在热烈的掌声中结束。

                                                                                                                    夏长泰研究员报告会现场

夏长泰，1996年获中国科学院上海硅酸盐研究所博士学位，1997-2003年先后在智利大学、日本丰田中央研究所从事博士后和担任客座研究员，2004年作为国外杰出人才引进上海光学精密机械研究所工作、任职研究员。研究工作涉及晶体、纳米材料、薄膜及陶瓷等领域，带领团队从我国国民经济需求出发，围绕半导体照明新光源材料国际前沿开展研究，取得了系列创新性学术成果。在中科院引进国外杰出人才计划等支持下，开展了“LED光源新衬底及荧光材料”研究，并拓展到超宽禁带半导体晶体。他是我国氧化镓晶体材料研究的先行者，2004年起，在国内最早关注氧化镓晶体材料，并开展实质研究。相关研究工作获得了国家自然科学基金委员会和上海市科学技术委员会等国家和地方重要项目的支持。独创地提出了几种n型β-Ga₂O₃新掺质方案，新方案较国际流行方案具有更高载流子激活效率，可在更宽范围内实现载流子浓度调控。相关工作得到了国内外同行的关注和肯定。发表SCI收录学术论文100余篇，他引总计1000余次。多次受邀在国内外重要学术会议上作邀请报告、担任分会主持。