姓名: 黄贲

电子邮箱:hben@hubu.edu.cn

基本情况: 1988年12月出生，中共党员，讲师

研究方向: 主要从事计算材料力学领域的理论研究，包括功能材料及界面的微观行为、性能设计原理及相关分子模拟方法等，旨在解决多场耦合作用下材料变形破坏及界面润湿润滑等行为调控问题。

学习经历:

(1) 2013-09 至 2017-10, 武汉理工大学, 力学, 博士

(2) 2011-09 至 2014-06, 武汉理工大学, 固体力学, 硕士（提前攻博）

(3) 2007-09 至 2011-06, 武汉理工大学, 工程力学, 学士

工作经历:

(1) 2022-01 至 今, 湖北大学, 材料科学与工程学院, 讲师

(2) 2017-12 至 2021-12, 武汉理工大学，材料复合新技术国家重点实验室，博士后

代表性科研项目:

(1) 湖北省自然科学基金青年项目（2023.7~2025.6）

(2) 武汉市知识创新专项曙光计划（2022.6~2024.6）

代表性论文:

(1) Chenyang Xiao; Pengcheng Zhai; Kailiang Fang; Zhuoming Xia; Bo Duan; Xiaobin Feng; Guodong Li; Ling zhou; Ben Huang; Zhiguang Guo; Qingjie Zhang; Strain-induced defect evolution for the construction of porous Cu2-xSe with enhanced thermoelectric performance, ACS Applied Materials & Interfaces, 2023, 15(50): 58529-58538 (共同通讯作者)

(2) Ben Huang; Guodong Li; Chenyang Xiao; Bo Duan; Wenjuan Li; Pengcheng Zhai; William A. Goddard III; Compression induced deformation twinning evolution in liquid-like Cu2Se, ACS Applied Materials & Interfaces, 2022, 14(16): 18671-18681 (唯一第一作者)

(3) Ben Huang; Guodong Li; Bo Duan; Wenjuan Li; Pengcheng Zhai; William A. Goddard III; Order-tuned deformability of bismuth telluride semiconductors: An energy-dissipation strategy for large fracture strain, ACS Applied Materials & Interfaces, 2021, 13(48): 57629-57637 (唯一第一作者)

(4) Ben Huang; Guodong Li; Bo Duan; Pengcheng Zhai; William A. Goddard III; Temperature dependent anharmonic effects on shear deformability of Bi2Te3 semiconductor, Scripta Materialia,2021, 202: 114016 (唯一第一作者)

(5) Runxi Jia, Qianqiu Liu, Xinlei Gao, Ben Huang, Guodong Li, Zhiguang Guo; Mechanism of Bonding and Defect Evolution of Deformed Sb2Te3 Semiconductors under Temperature Effects, Journal of Physical Chemistry A, 2025, 129: 8139-8147 (共同通讯作者)