学者

氧化锌是第三代宽禁带半导体材料，在短波长光电子器件领域具有重要的应用价值。带隙调控和p型掺杂是实现氧化锌在光电器件实际应用的关键。近年来国际上基于多元合金的氧化锌带隙调控取得了显著进展，然而稳定可重复的氧化锌p型掺杂仍然是一个巨大的挑战。

该综述论文（34页）总结了国际上近10年来在氧化锌薄膜带隙调控、异质结构及光电器件研究方面的主要进展，重点评述了氧化锌多元合金带隙调控的发展现状，并对其在解决氧化锌p型掺杂瓶颈问题的前景进行了展望。

据悉，该综述包含何云斌教授团队相关论文20余篇，是该团队近10余年在氧化锌领域研究的一个全面总结。MSE-R是材料领域权威综述期刊，仅发表编辑邀请综述文章，2020年最新影响因子36.214。除论文外，何云斌教授团队还在ZnO薄膜材料及光电器件领域获得授权国际发明专利2项、中国发明专利20余项，受邀在全国氧化锌、宽禁带半导体、物理年会等相关国家级学术会议上作邀请报告10余次。

（论文链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0927796X21000565）

（审核：宋韧）