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应材料科学与工程学院和湖北大学先进宽禁带半导体材料与器件研究中心邀请，山东大学讲席教授陶绪堂先生于4月9日莅临我校访问讲学。当天下午，陶绪堂教授在湖北大学思诚厅为全校师生作了一场主题为“多维度晶体材料研究”的学术报告。报告会由材料科学与工程学院院长郭志光教授主持。

在本次报告中陶绪堂教授详细分享了其团队在人工晶体材料研究领域取得的丰富创新成果。陶教授首先从天然晶体到人工晶体的演进引入，接着从不同维度代表性晶体材料出发，阐述了我国有关超宽禁带半导体单晶、有机-无机复合钙钛矿晶体、非线性光学晶体、单晶光纤等的研究历程、主要进展及其团队的重要创新成果。考虑到宽禁带半导体材料与器件研究中心工作实际，陶教授着重比较了β-Ga₂O₃单晶生长几种常用工艺的优劣，并分享了其团队在“导模法”生长β-Ga₂O₃单晶研究方面的实践经验和最新进展。陶绪堂教授报告深入浅出，令师生们受益良多。会后师生们踊跃提问，陶教授耐心解答提问，大家讨论积极热烈。最后，学术报告会在浓郁的学术氛围和热烈的掌声中圆满结束。

报告会结束后，陶绪堂教授参观了依托材料科学与工程学院建设的湖北省先进光电转换与光电催化材料国际科技合作基地和湖北大学先进宽禁带半导体材料与器件研究中心，基地兼中心负责人何云斌教授介绍了国合基地及研究中心的研究方向和主要研究进展，双方就未来合作事宜进行了探讨。

据悉，陶绪堂于1995年获日本东京农工大学工学博士学位，2002年被聘为教育部“长江学者奖励计划”特聘教授，2003年获批国家杰出青年基金,作为学术带头人获2007年度国家自然科学基金委创新研究群体基金并获得二次延续资助，现任山东大学讲席教授。曾任山东大学晶体材料研究所所长、晶体材料国家重点实验室主任。兼任中国硅酸盐学会理事、中国晶体学会理事、中国硅酸盐学会晶体生长专业委员会副主任、中国物理学会固体缺陷专业委员会副主任，第六、七届教育部科学技术委员会交叉学部委员，浙江大学硅材料国家重点实验室、中科院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室学术委员会委员等。长期从事各类晶体材料与器件应用研究。

（审稿：陈亮）